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EFFECT OF SILICON DOPING PROFILE ON IV CHARACTERISTICS OF AN ALGAAS/GAAS RESONANT TUNNELING BARRIER STRUCTURE GROWN BY MBE
被引：52
作者：
MUTO, S
INATA, T
OHNISHI, H
YOKOYAMA, N
HIYAMIZU, S
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
07期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L577
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L577 / L579
页数：3
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