EFFECT OF FERROELECTRIC POLARIZATION OF INSULATED-GATE THIN-FILM TRANSISTOR PARAMETERS

被引：43

作者：

ZULEEG, R

WIEDER, HH

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(66)90010-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：657 / &

共 8 条

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