EFFECT OF FERROELECTRIC POLARIZATION OF INSULATED-GATE THIN-FILM TRANSISTOR PARAMETERS

被引:43
作者
ZULEEG, R
WIEDER, HH
机构
关键词
D O I
10.1016/0038-1101(66)90010-4
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:657 / &
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