LATCHUP PREVENTION USING AN N-WELL EPI-CMOS PROCESS

被引：4

作者：

HOLLY, PJ ^{[1
]}

AKERS, LA ^{[1
]}

机构：

[1] ARIZONA STATE UNIV,DEPT ELECT ENGN,TEMPE,AZ 85281

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1983.21308

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1403 / 1405

页数：3

共 9 条

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