OPTIMIZATION OF (AI,GA)AS/GAAS TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS STRUCTURES FOR LOW CARRIER DENSITIES AND ULTRAHIGH MOBILITIES AT LOW-TEMPERATURES

被引：97

作者：

FOXON, CT

HARRIS, JJ

HILTON, D

HEWETT, J

ROBERTS, C

机构：

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1989年 / 4卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/4/7/016

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：582 / 585

页数：4

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