GATE NOISE IN FIELD EFFECT TRANSISTORS AT MODERATELY HIGH FREQUENCIES

被引：184

作者：

VANDERZIEL, A

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE IEEE | 1963年 / 51卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1963.1849

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：461 / &

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共 4 条

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