EVIDENCE FOR THE ROLE OF THE INDIRECT-GAP ELECTRON-STATES IN TUNNELING THROUGH THIN AIA BARRIERS

被引：15

作者：

COUCH, NR

KELLY, MJ

KERR, TM

BRITTON, EG

STOBBS, WM

机构：

[1] GEC, Wembley, Engl, GEC, Wembley, Engl

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1987年 / 2卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/2/4/008

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

13

引用

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页码：244 / 247

页数：4

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