EFFECTS OF HCL GETTERING, CR DOPING AND AL+ IMPLANTATION ON HARDENED SIO21

被引：18

作者：

AUBUCHON, KG ^{[1
]}

HARARI, E ^{[1
]}

LEONG, DH ^{[1
]}

CHANG, CP ^{[1
]}

机构：

[1] HUGHES AIRCRAFT CO,NEWPORT BEACH,CA 92601

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1974.6498923

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：167 / 171

页数：5

共 8 条

[1] AUBUCHON KG, 1971, IEEE NUCL S, VNS18, P117
[2] BURGHARD RA, 1973, DEC REMT WORKSH WASH
[3] DENSITY OF SIO2-SI INTERFACE STATES - (MOS DEVICES SI OXIDATION 100 DEGREES C O2 + 80 PPM H2O FERMI LEVEL E)
GRAY, PV
BROWN, DM
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1966, 8 (02) : 31 - &
[4] HARARI E, 1973, IEEE NUCL S, VNS20, P288
[5] HUGHES HL, 1972, IEEE T NUCL SCI, VNS19, P256
[6] NEUTRALIZATION OF NA+ IONS IN HCL-GROWN SIO2
KRIEGLER, RJ
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1972, 20 (11) : 449 - &
[7] PEEL JL, 1971, IEEE T NUCL SCI, VNS18, P84
[8] PEEL JL, 1972, IEEE NUCL S, VNS19, P271