PREDICTED MODIFICATIONS IN THE DIRECT AND INDIRECT GAPS OF TETRAHEDRAL SEMICONDUCTORS - COMMENT

被引：13

作者：

RICHARDSON, SL

COHEN, ML

LOUIE, SG

CHELIKOWSKY, JR

机构：

[1] UNIV CALIF BERKELEY LAWRENCE BERKELEY LAB,CTR ADV MAT,BERKELEY,CA 94720

[2] UNIV CALIF BERKELEY LAWRENCE BERKELEY LAB,DIV MAT & MOLEC RES,BERKELEY,CA 94720

[3] EXXON RES & ENGN CO,CORP RES SCI LABS,ANNANDALE,NJ 08801

来源：

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevLett.54.2549

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：2549 / 2549

页数：1

共 5 条

CHELIKOWSKY, JR ;

LOUIE, SG .

PHYSICAL REVIEW B, 1984, 29 (06) :3470-3481

[2]

PHILLIPS JC, 1973, BONDS BANDS SEMICOND, P147

[3]

Richardson Samuel, UNPUB, pXI

ROMPA, HWAM ;

SCHUURMANS, MFH ;

WILLIAMS, F .

[5]

WALTER J, UNPUB