DECAY FEATURES OF POSITRONS IN SEMICONDUCTORS

被引：37

作者：

FABRI, G

POLETTI, G

RANDONE, G

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1966年 / 151卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.151.356

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：356 / &

共 5 条

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