ANALYSIS OF DOPANT DIFFUSION IN MOLTEN SILICON INDUCED BY A PULSED EXCIMER LASER

被引：17

作者：

SAMESHIMA, T

USUI, S

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L1208

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1208 / L1210

页数：3