CONCERNING CARBON CONTENT IN SEMICONDUCTOR SILICON

被引：25

作者：

SCHINK, N

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1965年 / 8卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(65)90064-X

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：767 / &

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[1] NEWMAN RC, 1962, METALLURGY SEMICONDU, V15, P201
[2] PRICE PJ, PRIVATE COMMUNICATIO
[3] SCACE RI, 1960, SILICON CARBIDE HIGH