CONTROL OF DEFECTS IN SILICON DIOXIDE

被引：3

作者：

BAGLEE, DA ^{[1
]}

GILL, R ^{[1
]}

STUART, RA ^{[1
]}

ECCLESTON, W ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV LIVERPOOL,DEPT ELECT ENGN & ELECTR,LIVERPOOL L69 3BX,LANCASHIRE,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19770102

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：144 / 145

页数：2

共 5 条

[1]

Eccleston W., 1976, Microelectronics, V8, P5

[2]

GROVE AS, PHYSICS TECHNOLOGY S

OSBURN, CM .

[4] NATURE OF DEFECTS IN SILICON DIOXIDE [J].

ZAKZOUK, AK ;

STUART, RA ;

ECCLESTON, W .

[5] POLARITY DEPENDENT OXIDE DEFECTS LOCATED USING LIQUID-CRYSTALS [J].

ZAKZOUK, AK ;

ECCLESTON, W ;

STUART, RA .