EVALUATION OF TRACE IMPURITIES IN PREPARATION OF HIGH-PURITY SILICON CARBIDE

被引：6

作者：

BARRETT, DL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.3087208

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1215 / &

共 10 条

[1]

CHANG HC, 1957, AIEE571131 PAP

[2]

CHANG HC, 1958, INT C SEMICONDUCTORS

[3] PREPARATION OF CRYSTALS OF PURE HEXAGONAL SIC [J].

HAMILTON, DR .

[4]

HAMILTON DR, 1960, SILICON CARBIDE HIGH, P43

[5] A NEW CARBON RESISTOR FURNACE [J].

KROLL, WJ ;

SCHLECHTEN, AW ;

YERKES, LA .

[6]

Lely A, 1955, BER DEUT KERAM GES, V8, P229

[7]

LELY JA, 1958, SEMICONDUCTORS PHOSP, P525

[8]

PATRICK L, 1963, PHYS REV, V131, P127

[9]

VANDAAL HJ, 1965, PHILLIPS RES RPTS S3

[10]

VANDERPAUW LJ, 1958, PHILIPS RES REP, P13