RANGES AND DEPTH DISTRIBUTIONS OF 200-KEV HE IONS CHANNELED IN SI, GE, AND GAAS CRYSTALS

被引：5

作者：

WILSON, RG

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1987年 / 61卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1063/1.337921

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2489 / 2492

页数：4

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共 1 条

[1] DEPTH DISTRIBUTIONS AND RANGE PARAMETERS FOR HE IMPLANTED IN SI AND GAAS [J].

WILSON, RG ;

DELINE, VR ;

HOPKINS, CG .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1982, 41 (10) :929-931