GAINAS PIN PHOTODIODES GROWN ON SILICON SUBSTRATES FOR 1.55 MU-M DETECTION

被引：10

作者：

HODSON, PD

BRADLEY, RR

RIFFAT, JR

JOYCE, TB

WALLIS, RH

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1987年 / 23卷 / 20期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19870764

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

2

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页码：1094 / 1095

页数：2

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