HIGH-RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPE STUDY OF SILICON ON INSULATOR STRUCTURE GROWN BY LATERAL SOLID-PHASE EPITAXY

被引:5
作者
KAWARADA, H
UENO, T
KUNII, Y
HORIUCHI, S
OHDOMARI, I
机构
[1] Waseda Univ, Tokyo, Jpn, Waseda Univ, Tokyo, Jpn
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1986年 / 25卷 / 10期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.25.L814
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:L814 / L817
页数:4
相关论文
empty
未找到相关数据