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HIGH-RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPE STUDY OF SILICON ON INSULATOR STRUCTURE GROWN BY LATERAL SOLID-PHASE EPITAXY
被引:5
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
KAWARADA, H
UENO, T
论文数:
0
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0
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0
机构:
Waseda Univ, Tokyo, Jpn, Waseda Univ, Tokyo, Jpn
UENO, T
KUNII, Y
论文数:
0
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0
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0
机构:
Waseda Univ, Tokyo, Jpn, Waseda Univ, Tokyo, Jpn
KUNII, Y
HORIUCHI, S
论文数:
0
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0
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机构:
Waseda Univ, Tokyo, Jpn, Waseda Univ, Tokyo, Jpn
HORIUCHI, S
OHDOMARI, I
论文数:
0
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0
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0
机构:
Waseda Univ, Tokyo, Jpn, Waseda Univ, Tokyo, Jpn
OHDOMARI, I
机构
:
[1]
Waseda Univ, Tokyo, Jpn, Waseda Univ, Tokyo, Jpn
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/ 25卷
/ 10期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.25.L814
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:L814 / L817
页数:4
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