PROPERTIES OF (GE2)X(GAAS)1-X ALLOYS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：1

作者：

BANERJEE, I ^{[1
]}

KROEMER, H ^{[1
]}

CHUNG, DW ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF SANTA BARBARA,DEPT CHEM & NUCL ENGN,SANTA BARBARA,CA 93106

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1985年 / 3卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583172

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：538 / 539

页数：2

共 3 条

[1]

ALFEROV ZI, 1982, SOV PHYS SEMICOND, V16, P537

Indrajit, Banerjee ;

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