64-KBIT BLOCK ADDRESSED CHARGE-COUPLED MEMORY

被引：7

作者：

MOHSEN, AM ^{[1
]}

BOWER, RW ^{[1
]}

WILDER, EM ^{[1
]}

ERB, DM ^{[1
]}

机构：

[1] MNEMONICS INC, CUPERTINO, CA 95014 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1976.1050674

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：49 / 58

页数：10

共 14 条

[11] 16-384-BIT HIGH-DENSITY CCD MEMORY [J].

ROSENBAUM, SD ;

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WALLACE, RW .

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[13]

SEQUIN CH, 1975, ADV ELECTRONICS E S8

[14] ELECTRON BEAM AND ION BEAM FABRICATED MICROWAVE SWITCH [J].

WOLF, HD ;

BAUER, LO ;

BOWER, RW ;

GARVIN, HL ;

BUCKEY, CR .