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HIGH CONDUCTANCE AND LOW PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY IN GA0.47IN0.53AS/AL0.48IN0.52AS MODULATION-DOPED STRUCTURES WITH PINCHOFF CAPABILITIES
被引：6
作者：
GRIEM, T
NATHAN, M
WICKS, GW
HUANG, J
CAPANI, PM
EASTMAN, LF
机构：
来源：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
|
1985年
/
3卷
/
02期
关键词：
D O I：
10.1116/1.583164
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：655 / 656
页数：2
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