MODAL NOISE-REDUCTION OF LASER-DIODES WITH SPECIFIC THICKNESS COATING

被引：5

作者：

NAWATA, K

TOMITA, S

WAKITA, K

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19840350

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：504 / 505

页数：2

共 5 条

[1]

EPWORTH RE, 1978, 4TH P EUR C OPT COMM, P492

[2] LATERAL CONFINEMENT INGAASP SUPERLUMINESCENT DIODE AT 1.3 MU-M [J].

KAMINOW, IP ;

EISENSTEIN, G ;

STULZ, LW ;

DENTAI, AG .

[3]

SATO K, 1980, IEEE J QUANTUM ELECT, V19, P1380

SATO, KI ;

ASATANI, K .

[5]

WAKITA K, UNPUB JPN J APPL PHY