COMPARISON OF RESISTIVITY MEASUREMENT TECHNIQUES ON EPITAXIAL SILICON

被引：20

作者：

GARDNER, EE

HALLENBACK, JF

SCHUMANN, PA

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1963年 / 6卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(63)90089-3

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：311 / 313

页数：3

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共 5 条

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