2ND-BREAKDOWN IN POWER TRANSISTORS DUE TO AVALANCHE INJECTION

被引：34

作者：

BEATTY, BA ^{[1
]}

KRISHNA, S ^{[1
]}

ADLER, MS ^{[1
]}

机构：

[1] GE,CTR RES & DEV,SCHENECTADY,NY 12301

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1976.18498

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：851 / 857

页数：7

共 19 条

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