EXPLOITATION OF A PULSED LASER TO EXPLORE TRANSIENT EFFECTS ON SEMICONDUCTOR-DEVICES

被引：14

作者：

HARDMAN, MA

EDWARDS, AR

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1984年 / 31卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1984.4333520

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1406 / 1410

页数：5

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共 5 条

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