WIDEBAND GALLIUM-ARSENIDE POWER MESFET AMPLIFIERS

被引：10

作者：

NEIDERT, RE ^{[1
]}

WILLING, HA ^{[1
]}

机构：

[1] USN RES LAB,WASHINGTON,DC 20375

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TMTT.1976.1128853

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：342 / 350

页数：9

共 14 条

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