PROPERTIES OF SN-DOPED IN2O3 FILMS PREPARED BY RF SPUTTERING

被引:201
作者
FAN, JCC [1 ]
BACHNER, FJ [1 ]
机构
[1] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
关键词
D O I
10.1149/1.2134117
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
引用
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页码:1719 / 1725
页数:7
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