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LATERAL GAAS PHOTODETECTOR FABRICATED BY GA FOCUSED-ION-BEAM IMPLANTATION
被引：6
作者：
IGUCHI, H
HIRAYAMA, Y
OKAMOTO, H
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
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1986年
/
25卷
/
07期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L560
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L560 / L563
页数：4
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