CHARACTERIZATION OF ANNEALING OF CO-60 GAMMA-RAY DAMAGE AT THE SI/SIO2 INTERFACE

被引：42

作者：

SABNIS, AG

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1983.4333088

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：4094 / 4099

页数：6

共 7 条

[1]

BOYLE JL, 1981, 19TH ANN P INT REL P, P34

[2]

CLEMENS JT, 1975, IEEE INT ELECTRON DE, P299

GROVE, AS ;

SNOW, EH .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS, 1966, 54 (06) :894-+

LAI, SK .

[5]

Sabnis A. G., 1983, 21st Annual Proceedings on Reliability Physics 1983, P90, DOI 10.1109/IRPS.1983.361966

[6]

Sabnis A. G., 1981, International Electron Devices Meeting, P244

[7] INTERFACE-STATE GENERATION IN RADIATION-HARD OXIDES [J].

WINOKUR, PS ;

BOESCH, HE .