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IMPACT IONIZATION THRESHOLD ENERGY SURFACES FOR ANISOTROPIC BAND STRUCTURES IN SEMICONDUCTORS
被引：14
作者：
BEATTIE, AR
SCHAROCH, P
ABRAM, RA
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/4/9/003
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：715 / 723
页数：9
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