LOW-LEAKAGE N-CHANNEL SILICON-GATE FETS AND P-CHANNEL SILICON-GATE FETS WITH AN SIO2-SI3N4-GATE INSULATOR

被引：4

作者：

DOCKERTY, RC ^{[1
]}

ABBAS, SA ^{[1
]}

BARILE, CA ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,SYST PROD DIV,HOPEWELL JUNCTION,NY 12533

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1975.18072

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：33 / 39

页数：7

共 10 条

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