RBS ANALYSIS OF ALXGA1-XAS LAYERS USING 30 MEV O-16 IONS

被引：9

作者：

OSTLING, M ^{[1
]}

PETERSSON, CS ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV UPPSALA, INST TECHNOL, S-75105 UPPSALA, SWEDEN

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | 1984年 / 4卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(84)90046-6

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

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页码：88 / 91

页数：4

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[2] GAMO K, 1976, ION BEAM SURFACE LAY, V1, P375
[3] LEDEBO LA, 1981, I PHYS C SER, V61, pCH11
[4] ELECTRON-PROBE MICROANALYSIS OF EPITAXIAL GARNET-FILMS
WILLICH, P
TOLKSDORF, W
OBERTOP, D
[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1981, 53 (03) : 483 - 489