学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
MBE FILM GROWTH BY DIRECT FREE SUBSTRATE HEATING
被引:13
作者
:
ERICKSON, LP
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
ERICKSON, LP
CARPENTER, GL
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
CARPENTER, GL
SEIBEL, DD
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
SEIBEL, DD
PALMBERG, PW
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
PALMBERG, PW
PEARAH, P
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
PEARAH, P
KOPP, W
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
KOPP, W
MORKOC, H
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
MORKOC, H
机构
:
[1]
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
[2]
UNIV ILLINOIS,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
来源
:
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
|
1985年
/ 3卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1116/1.583171
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:536 / 537
页数:2
相关论文
共 2 条
[1]
Cho A. Y., 1975, Progress in Solid State Chemistry, V10, P157, DOI 10.1016/0079-6786(75)90005-9
[2]
MODULATION-DOPED GAAS/ALGAAS HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS (MODFETS), ULTRAHIGH-SPEED DEVICE FOR SUPERCOMPUTERS
SOLOMON, PM
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS, DEPT ELECT ENGN, URBANA, IL 61801 USA
SOLOMON, PM
MORKOC, H
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS, DEPT ELECT ENGN, URBANA, IL 61801 USA
MORKOC, H
[J].
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1984,
31
(08)
: 1015
-
1027
←
1
→
共 2 条
[1]
Cho A. Y., 1975, Progress in Solid State Chemistry, V10, P157, DOI 10.1016/0079-6786(75)90005-9
[2]
MODULATION-DOPED GAAS/ALGAAS HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS (MODFETS), ULTRAHIGH-SPEED DEVICE FOR SUPERCOMPUTERS
SOLOMON, PM
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS, DEPT ELECT ENGN, URBANA, IL 61801 USA
SOLOMON, PM
MORKOC, H
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS, DEPT ELECT ENGN, URBANA, IL 61801 USA
MORKOC, H
[J].
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1984,
31
(08)
: 1015
-
1027
←
1
→