A PROPOSED P-N JUNCTION CATHODE

被引：9

作者：

GEPPERT, DV

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1966年 / 54卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1966.4580

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：61 / &

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van Laar, J.
[J]. SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1965, 3 (08) : 189 - 193
[4] Shockley W., 1951, US Patent, Patent No. 2569347