MOLECULAR-BEAM EPITAXY BEAM FLUX MODELING

被引:25
作者
CURLESS, JA
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1985年 / 3卷 / 02期
关键词
D O I
10.1116/1.583169
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:531 / 534
页数:4
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共 2 条
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HERMAN, MA .
VACUUM, 1982, 32 (09) :555-565
[2]   ANGULAR-DISTRIBUTION OF MOLECULAR-BEAMS FROM MODIFIED KNUDSEN CELLS FOR MOLECULAR-BEAM EPITAXY [J].
SHEN, LYL .
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1978, 15 (01) :10-12