THE APPLICATION OF THE MODIFIED GOUY-CHAPMAN THEORY TO AN ELECTRICAL DOUBLE-LAYER CONTAINING ASYMMETRIC IONS

被引:63
作者
BHUIYAN, LB
BLUM, L
HENDERSON, D
机构
[1] IBM CORP,RES LAB,SAN JOSE,CA 95193
[2] UNIV PUERTO RICO,DEPT PHYS,RIO PIEDRAS,PR 00931
关键词
D O I
10.1063/1.444523
中图分类号
O64 [物理化学(理论化学)、化学物理学];
学科分类号
070304 ; 081704 ;
摘要
引用
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页数:4
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