未找到相关数据
THE IMPORTANCE OF THE POSITIVELY CHARGED SURFACE FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF DIAMONDS AT LOW-PRESSURE
被引：92
作者：
TSUDA, M
NAKAJIMA, M
OIKAWA, S
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1987年
/
26卷
/
05期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.L527
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
页码：L527 / L529
页数：3
相关论文