CORROSION BEHAVIOR OF SILICON-CARBIDE IN 290-DEGREES-C WATER

被引：89

作者：

HIRAYAMA, H ^{[1
]}

KAWAKUBO, T ^{[1
]}

GOTO, A ^{[1
]}

KANEKO, T ^{[1
]}

机构：

[1] TOSHIBA CO LTD,DIV NUCL ENERGY,KAWASAKI 210,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1111/j.1151-2916.1989.tb06029.x

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：2049 / 2053

页数：5

共 11 条

ADAMSKY, RF .

[2]

JORGENSEN J, 1968, J AM CERAM SOC, V44, P258

[3] OXIDATION OF SILICON CARBIDE [J].

JORGENSEN, PJ ;

WADSWORTH, ME ;

CUTLER, IB .

[4]

KAWAKUBO T, 1989, J SOC MATER SCI JPN, V38, P300

[5]

SIBHAL SC, 1976, J AM CERA SOC, V59, P81

[6]

SUZUKI H, 1957, YOGYO-KYOKAI-SHI, V65, P88

[7]

SUZUKI H, 1959, YOGYO KYOKAISHI, V67, P157

[8]

TSURUTA T, 1985, BOSHOKU GIJUTSU, V34, P135

[9]

VANLIER JA, 1960, J PHYS CHEM-US, V64, P1675

[10]

Yoshimura M., 1986, Yogyo-Kyokai-Shi, V94, P129