GROWTH OF LOW AND HOMOGENEOUS DISLOCATION DENSITY GAAS CRYSTAL BY IMPROVED LEC TECHNIQUE

被引：14

作者：

SHIMADA, T

TERASHIMA, K

NAKAJIMA, H

FUKUDA, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1984年 / 23卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.23.L23

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L23 / L25

页数：3

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共 3 条

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