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CORRELATION BETWEEN OPEN-CIRCUIT VOLTAGE AND INTERFACE PARAMETERS AT AU-CDS ILLUMINATED CONTACT
被引:6
作者
:
LEPLEY, B
论文数:
0
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0
h-index:
0
机构:
INST SCI INGN,EQUIPE INTERFACES HETEROJONCTIONS,VANDOEUVRE LES NANCY,FRANCE
INST SCI INGN,EQUIPE INTERFACES HETEROJONCTIONS,VANDOEUVRE LES NANCY,FRANCE
LEPLEY, B
[
1
]
RAVELET, S
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机构:
INST SCI INGN,EQUIPE INTERFACES HETEROJONCTIONS,VANDOEUVRE LES NANCY,FRANCE
INST SCI INGN,EQUIPE INTERFACES HETEROJONCTIONS,VANDOEUVRE LES NANCY,FRANCE
RAVELET, S
[
1
]
机构
:
[1]
INST SCI INGN,EQUIPE INTERFACES HETEROJONCTIONS,VANDOEUVRE LES NANCY,FRANCE
来源
:
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
|
1976年
/ 33卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1002/pssa.2210330210
中图分类号
:
T [工业技术];
学科分类号
:
08 ;
摘要
:
引用
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页码:517 / 523
页数:7
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[21]
BARRIER HEIGHT STUDIES ON METAL-SEMICONDUCTOR SYSTEMS
[J].
SPITZER, WG
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SPITZER, WG
;
MEAD, CA
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MEAD, CA
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1963,
34
(10)
:3061
-+
[22]
SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO
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[21]
BARRIER HEIGHT STUDIES ON METAL-SEMICONDUCTOR SYSTEMS
[J].
SPITZER, WG
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SPITZER, WG
;
MEAD, CA
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MEAD, CA
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1963,
34
(10)
:3061
-+
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