NOISE AND LIFETIME MEASUREMENTS IN SI P+-I-N POWER DIODES

被引：6

作者：

FANG, P

VANRHEENEN, AD

VANDERZIEL, A

PENG, Q

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(89)90121-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：345 / 348

页数：4

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共 7 条

[1]

FANG P, 1985, IN PRESS, V132, P367

[2]

FANG P, 1988, THESIS U MINNESOTA

[3] THE HIGH CURRENT LIMIT FOR SEMICONDUCTOR JUNCTION DEVICES [J].

FLETCHER, NH .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1957, 45 (06) :862-872

[4] 1/F NOISE IS NO SURFACE EFFECT [J].

HOOGE, FN .

[5]

PERALA RA, 1967, IEEE T EDUC, V12, P172

[6]

VANDERZIEL A, 1986, SOLID ST ELECTRON, V29, P1061

[7]

VANDERZIEL A, 1976, SOLID STATE PHYSICAL, pCH15