EPITAXIAL-GROWTH OF SI1-XGEX/SI HETEROSTRUCTURES BY LIMITED REACTION PROCESSING FOR MINORITY-CARRIER DEVICE APPLICATIONS

被引：12

作者：

KING, CA

HOYT, JL

NOBLE, DB

GRONET, CM

GIBBONS, JF

SCOTT, MP

LADERMAN, SS

KAMINS, TI

TURNER, J

机构：

来源：

RAPID THERMAL ANNEALING / CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND INTEGRATED PROCESSING | 1989年 / 146卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-146-71

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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