EPITAKTISCHES AUFWACHSEN VON ALN-SCHICHTEN AUF SIC- UND SI-EINKRISTALLEN IN DER GASENTLADUNG

被引：13

作者：

PASTRNAK, J

ROSKOVCO.L

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI | 1965年 / 9卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssb.19650090235

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：K73 / &

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共 5 条

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