AN EXPERIMENTAL 4-MBIT CMOS DRAM

被引：21

作者：

FURUYAMA, T

OHSAWA, T

WATANABE, Y

ISHIUCHI, H

WATANABE, T

TANAKA, T

NATORI, K

OZAWA, O

机构：

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1986年 / 21卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1986.1052584

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：605 / 611

页数：7

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共 18 条

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