INFLUENCE OF FINITE SEMICONDUCTOR THICKNESS ON THIN-FILM TRANSISTOR CHARACTERISTICS

被引：5

作者：

PAUWELS, HJ ^{[1
]}

BURGELMAN, M ^{[1
]}

机构：

[1] GHENT STATE UNIV,LAB ELECTR,GHENT,BELGIUM

来源：

THIN SOLID FILMS | 1975年 / 27卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(75)90034-6

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页码：273 / 286

页数：14

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共 5 条

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SAH, CT
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1966, 9 (10) : 927 - +
[2] Tickle A. C., 1969, THIN FILM TRANSISTOR
[3] EFFECTIVE MOBILITY AND BULK TRAPPING IN HEAVILY DOPED CDSE
VANCALSTER, A
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1973, 16 (01) : 117 - 119
[4] VANCALSTER A, TO BE PUBLISHED
[5] VANCALSTER A, 1974, THIN SOL FI, V21, P33