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ANNEALING EFFECTS IN SHORT-PERIOD SI-GE STRAINED LAYER SUPERLATTICES
被引：41
作者：
BRUGGER, H
FRIESS, E
ABSTREITER, G
KASPER, E
KIBBEL, H
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/3/12/003
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：1166 / 1170
页数：5
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