MICROWAVE PERFORMANCE OF 0.25-MU-M GATE LENGTH HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS

被引：52

作者：

MISHRA, UK

PALMATEER, SC

CHAO, PC

SMITH, PM

HWANG, JCM

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1985年 / 6卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1985.26074

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：142 / 145

页数：4

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共 5 条

[1]

BERENZ JJ, 1984, JUN IEEE MTT S INT S, P98

[2]

CAMNITZ L, 1984, IEDM

[3]

CHAO PC, 1983, DEC IEDM, P613

[4]

DELESCLUSE P, 1984, P MBE INT C SAN FRAN

[5]

PALMATEER SC, 1984, 11TH P INT S GAAS RE