CHANNELING PHENOMENA IN OFF-AXIS ION-IMPLANTED (001) SILICON

被引：2

作者：

CEMBALI, F

SERVIDORI, M

MAZZONE, AM

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(85)90055-2

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：225 / 228

页数：4

相关论文

共 6 条

[1] PLANAR CHANNELING IN ION-IMPLANTED SILICON [J].

BLOOD, P .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1974, 25 (02) :K151-K154

[2]

BLUNT RT, 1983, 4TH P INT C ION IMPL, P443

[3]

CEMBALI F, 1985, PHYS STATUS SOLIDI A, V87, P527

[4]

CEMBALI F, 1985, SOL STAT ELECTRON

[5]

HARA T, 1979, SOLID STATE TECHNOL, V22, P69

[6] CHANNELING OF IONS NEAR THE SILICON (001) AXIS [J].

ZIEGLER, JF ;

LEVER, RF .