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VIBRONIC STATES OF SILICON SILICON DIOXIDE INTERFACE TRAPS
被引：22
作者：
ENGSTROM, O
GRIMMEISS, HG
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/4/12/012
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：1106 / 1115
页数：10
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