GAAS-INSB GRADED-GAP HETEROJUNCTION

被引：11

作者：

HINKLEY, ED

REDIKER, RH

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(67)90097-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：671 / &

共 29 条

[11] TRANSPORT PROPERTIES OF A MANY-VALLEY SEMICONDUCTOR [J].

HERRING, C .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1955, 34 (02) :237-290

HINKLEY, ED ;

REDIKER, RH ;

JADUS, DK .

HINKLEY, ED ;

LAVINE, MC ;

REDIKER, RH .

[14]

HINKLEY ED, 1965, SOLIDSTATE DEV RES C

[15]

KISELEVA NK, 1964, SOV PHYS CRYSTALLOGR, V9, P365

[16]

LINDLEY W, 1966, THESIS PURDUE U

[17]

LOGAN RA, 1966, P INT C PHYS SEMICON, P434

[18] FERMI LEVEL POSITION AT METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACES [J].

MEAD, CA ;

SPITZER, WG .

PHYSICAL REVIEW, 1964, 134 (3A) :A713-+

[19]

MOLL JL, 1964, PHYSICS SEMICONDUCTO, pCH11

[20]

MROCZKOWSKI RS, 1965, T METALL SOC AIME, V233, P456