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APPLICATION OF A RESONANT TUNNELLING STRUCTURE TO DEMONSTRATE SUBSURFACE DAMAGE AND SURFACE MIGRATION ON INGAAS DURING AUGE CONTACT ANNEAL
被引:4
作者
:
LAKHANI, AA
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0
LAKHANI, AA
POTTER, RC
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POTTER, RC
BEYEA, DM
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BEYEA, DM
机构
:
来源
:
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
|
1988年
/ 3卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1088/0268-1242/3/6/017
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:605 / 607
页数:3
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