ANNEALING EFFECTS IN SILICON-NITRIDE ENCAPSULANT FILMS

被引：7

作者：

SZWEDA, R

机构：

来源：

PHYSICA B & C | 1985年 / 129卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1016/0378-4363(85)90618-7

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：435 / 439

页数：5

相关论文

共 7 条

[1]

CHOW WAR, 1982, J APPL PHYS, V53

[2]

CLAASSEN WAP, 1983, J ELECTROCHEM SOC SO, V130

[3]

HESS DW, 1984, J VAC SCI TECHNOL A, V2

[4]

LANDFORD WA, 1978, J APPL PHYS, V49

[5]

ONUMA T, 1982, J ELECTROCHEM SOC SO, V129

[6]

RAO VB, 1984, J ELECTROCHEM SOC SO, V131

[7]

VALKO GJ, P S SILICON NITRIDE, V83, P128